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強誘電体について語るスレ

1 :名も無きマテリアルさん:2005/04/14(木) 23:46:13
それではどーぞ。

2 :名も無きマテリアルさん:2005/04/16(土) 14:00:51
に。

3 :名も無きマテリアルさん:2005/04/16(土) 16:08:16
高誘電体(・∀・)イイ!

4 :名も無きマテリアルさん:2005/04/19(火) 15:45:02
チタバリ!?

5 :名も無きマテリアルさん:2005/04/20(水) 23:59:08
やっぱ、ナマーリだろ!?

6 :名も無きマテリアルさん:2005/04/21(木) 00:00:48
PVDF。

7 :名も無きマテリアルさん:2005/04/22(金) 16:00:46
4/17から4/20までのISIF2005に行ってきたぞ。
会場は上海の領事館のすぐ近く。
中国人は死ね。

来年はハワイらしいよ。
みんなで行こうぜ!

※ISIF…International Symposium on Integrated Ferroelectrics
     強誘電体関連では権威ある国際学会

8 :名も無きマテリアルさん:2005/05/10(火) 20:16:53
ISIFはブロードムアに泊まったのが忘れられない
あんな高級ホテルそんな時じゃないと泊まれないし

9 :名も無きマテリアルさん:2005/05/16(月) 23:26:36
教えて、エロい人!!!
P-Eヒステリシスを測定して誘電率を算出したのですが、どうも値がおかしいです。
真空の誘電率の単位が(F/m)だったので(C/m)に直して計算したのがまずかったんでしょうか・・・?
8.854*10E-12を使えば確かにしっくりくる値になるのですが・・・

10 :名も無きマテリアルさん:2005/05/19(木) 20:50:40
>>9

F/mがどうやったらC/mになるのでしょうか。

そもそも、
電荷(C)=静電容量(F)×電圧(V)
です。
どうあっても、F/mをC/mに換算はできません。

ある電界での分極量P(μC/cm2)がわかればここから、
P(μC/cm2)=ε0(F/m)×εr(定数)E(V/m) 式1
となって、さらにP=F×V
から式1の両辺が消えて比誘電率がでるはず。
C/mにしなきゃいけないとかどうとかそういった問題ではない。



11 :9:2005/05/21(土) 16:49:59
>>10

1F(ファラデー)=96500C(クーロン)ではないのですか?

12 :名も無きマテリアルさん:2005/05/22(日) 00:35:45
>>11
ファラデー定数と静電容量F(ファラド)を間違えてる。
両者は別のものだ。それにファラデー定数なら
1F(ファラデー) = 96500 C/molだろうがよ。

静電容量の単位のF(ファラド)はある物質に1Vの電圧がかかったときに
1C(クーロン)の電荷を蓄えることができることを意味している。

ファラデー定数は1molを電気分解するのに必要な電気量が96500C
ということをあらわしている。

記号がおんなじだし、両方を”F”で表現しちゃうのは確かに紛らわしいな。

13 ::2005/05/22(日) 21:05:07
>>12

謎が解けました。
どうもありがとうございまつた(`・ω・´)

14 :名も無きマテリアルさん:2005/05/25(水) 00:10:27
前にNatureに載ってたBiFeO3ってあるじゃん。
あれって本当にポスト鉛系材料になるのかね?

15 :名も無きマテリアルさん:2005/05/25(水) 02:56:42
>>14
なると思っているグループは既に着手しているよ。

16 :名も無きマテリアルさん:2005/05/26(木) 22:38:51
京都行ってるやついる?

17 :名も無きマテリアルさん:2005/06/10(金) 20:26:34
FMAって、たまには違う会場の方が良いんでない?
京都飽きたから行かなかったよ。

18 :名も無きマテリアルさん:2005/06/18(土) 20:53:35
強誘電体を専門にしてるやつって少ないのか?

19 :名も無きマテリアルさん:2005/06/19(日) 01:29:32
磁性に比べたら少ないでしょ。

20 :名も無きマテリアルさん:2005/06/30(木) 22:03:47
俺はよく知らんが、超伝導ってまだHOTなん?
企業ではあんまりやってない気が・・・

21 :名も無きマテリアルさん:2006/02/17(金) 01:42:02
XkM65YFE.Ls

22 :名も無きマテリアルさん:2006/02/17(金) 01:42:06
bxxd23IUVkU

23 :名も無きマテリアルさん:2006/02/17(金) 01:42:15
J1siTuoVdd6

24 :名も無きマテリアルさん:2006/02/17(金) 02:16:36
WFk78o/wJRI

25 :名も無きマテリアルさん:2006/02/17(金) 02:17:23
HwrkIhe5Lpk

26 :名も無きマテリアルさん:2006/07/17(月) 12:18:29
lihk.lhy

27 :名も無きマテリアルさん:2006/07/17(月) 21:55:34
ttp://mmk.hp.infoseek.co.jp/cgi-bin/src/up1034.jpg

28 :名も無きマテリアルさん:2006/08/09(水) 16:29:16
P-Eヒステリシスを測定して誘電率を算出したのですが、どうも値がおかしいです。
真空の誘電率の単位が(F/m)だったので(C/m)に直して計算したのがまずかったんでしょうか・・・?
8.854*10E-12を使えば確かにしっくりくる値になるのですが・・・

29 :名も無きマテリアルさん:2006/08/28(月) 22:18:48
大発見!!
分極量10000


















nC/cm2


30 :名も無きマテリアルさん:2006/08/30(水) 22:33:48
強誘電体薄膜は東工大が強いよね。
でも、応物の強誘電体薄膜の発表件数へってるなー・・・。
FeRAMがもたもたしているあいだに、ReRAMとかMRAMとかほかのが
じゃんじゃん出てきちゃったからかな。

31 :名無しさん@お腹いっぱい。:2006/11/27(月) 14:46:39
関連wiki
http://wiki.ninki.org/wiki.cgi?p=%b6%af%cd%b6%c5%c5%c2%ce%a4%cb%a4%c4%a4%a4%a4%c6%b8%ec%a4%eb%a5%b9%a5%ec


32 :名も無きマテリアルさん:2006/12/06(水) 23:38:28
素朴な質問だけど、鉛が入ってちゃいけないのは分かるけど、鉛入ってると強誘電体になるの??

33 :名も無きマテリアルさん:2006/12/07(木) 08:06:13
とりあえず教科書読んで勉強しな

34 :名も無きマテリアルさん:2006/12/11(月) 13:25:04
>>32
なかなか本質をついた質問だな。
鉛と酸素があれば、強誘電体になるのか。構造は。
難しいです。
教科書にまだ、答えは無いでしょう。

35 :名も無きマテリアルさん:2006/12/25(月) 21:08:20
結局、結晶構造が、規則的な分極を保持し得るかどうかが
強誘電体の本質でしょう
今のところ、鉛の入った一部の物質が都合が良かった。
それだけのこと。

36 :名も無きマテリアルさん:2006/12/29(金) 12:52:04
物質の構造と誘電体について、
誘電体特性の測定について、それぞれ、お薦めの本ありませんか?

37 :名も無きマテリアルさん:2007/01/08(月) 22:08:49
>>35
そうは言い切れないでしょう。
結晶構造だけで良いなら、チタン酸鉛と同じ物は沢山あるし。
なぜ、都合が良いか?って分かってる事なんですか?

38 :名も無きマテリアルさん:2007/02/11(日) 15:31:52
>>37
センスねーな
鉛である必要は無い。
今話題にしてるタイプの強誘電体なら、
原子の変移を許容して、なおかつそれを規則的に
安定化できる物質であればいいってことはみんなつかんでる。

わかりまちたかー?

39 :名も無きマテリアルさん:2007/10/04(木) 21:03:48
ヒステリシスループの周波数ってどのくらいで測るがいいの?
1KHzで測ってるんだけど、周波数高すぎるのか?

40 :名も無きマテリアルさん:2007/10/06(土) 13:15:23
>>39
ケースバイケース。
1kHzはよくある範囲内。
物性をきちんと見たければ周波数が低い方が理想的だけど
リーキーなサンプルのヒステリシスループをどうしても確認したいときは
1kHzはあり。
ただし発表時は周波数条件を明確に。


41 :名も無きマテリアルさん:2007/10/06(土) 13:59:13
>>40dクス
たしかにそうだよね。漏れが多いサンプルはどうしても絶縁破壊しちゃうから、そういうときだけ1kHzでみてみる。
助かった。ほんとにありがとう。

42 :名も無きマテリアルさん:2008/06/15(日) 03:21:06
低レベルの質問ですいません
測定時の周波数とリークにはどうゆう関係があるのですか?

43 :名も無きマテリアルさん:2008/07/05(土) 08:26:46
>>42
最も簡単なモデルでは、強誘電体キャパシタは
抵抗Rと容量Cの並列回路で表されます。

強誘電体キャパシタにかかる電圧と流れる電流をV,I
R成分とC成分に流れる電流をI(R)、I(C)とすると、
I=I(R)+I(C)=V/R+d(CV)/dt
(ここでV/I=R、CV=Q、dQ/dt=I(Qは電荷量)を前提にしています)
上の式を積分すると
Q=∫(V/R)dt+CV
ということで1サイクルの時間が長い(=測定周波数が小さい)と
時間の積分になっているR成分の寄与が大きくなります。

別の表現だと
アドミタンスY=j(2πf)C+1/R
で周波数が大きくなるとC成分の寄与が大きくなります。

44 :名も無きマテリアルさん:2008/07/20(日) 22:16:32
集団ストーカー被害・電磁波被害に興味を持って下さい。
http://mongar.biroudo.jp/without/without.html

45 :名も無きマテリアルさん:2009/05/01(金) 11:15:40
強誘電体としてチタン酸バリウムなどが有名ですが、
強誘電性の液晶の誘電率は高いものでどれぐらいの値を示すのでしょうか。

46 :名も無きマテリアルさん:2010/07/29(木) 16:17:41
ヒステリシスループを測定するにはどうすればいいの?
ググると測定専門の高価な機械がヒットするんだけどそういうの買うしかないの?

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